EPCOS突波吸收器,突波吸收器,过压保护|防雷
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压敏电阻冲击电流作用下的老化机理
冲击电流作用下主要是热老化。能量迅速注入电阻片，温度升高很多，使离子的能量大为增加，迁移力增大，使反偏压侧的Zni，Bi3+等向晶界迁移。
由于压敏电阻型号太多，篇幅有限，恕不一一呈现，欲知详请，欢迎拨打图片中的咨询电话与我们源林电子联系，谢谢！
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残压比KR
通过压敏电阻器的电流为某一值时，在它两端所产生的电压称为这一电流值的残压。残压比则是残压与标称电压之比。
残压比KR的定义公式为：
KR =UR/UN
残压比可以比较直观地反应出压敏电阻限制过电压的能力，在压敏材料的研究工作中已得到广泛的应用，在防雷压敏电阻、避雷器阀片和高能型压敏电阻阀片中以成为标准电性能参数。
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限制电压Up
限制电压(V)指压敏电阻器两端所能承受的电压值。限制电压Up是残压UR的一种特殊形式，也是考核特定规格的压敏电阻抑制瞬态过电压能力的特征指标。限制电压Up实际上是生产厂家向用户承诺的每个规格产品的保护电压水平。
源林电子是一家专业研发、生产压敏电阻的高科技电子元器件企业。主营压敏电阻、热敏电阻和温度传感器，自有研发团队，厂家直销！
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